Samsung vừa tuyên bố rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip DRAM 6Gb LPDDR3 mới nhất dành cho các thiết bị di động.
Chúng được tạo ra bằng quy trình sản xuất 20nm và được thiết kế cho những smartphone và tablet hiệu suất cao bằng cách nâng tốc độ truyền tải dữ liệu lên tới 2,133Mbps.
Một bộ RAM 3GB LPDDR3 sử dụng bốn chip 6Gb LPDDR3 sẽ có kích thước nhỏ hơn 20% và mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn 10% so với RAM 3GB đang được sử dụng trên Galaxy Note 4. Quy trình 20nm cũng có hiệu suất cao hơn 30% so với quy trình 30nm.
Hồi tháng Ba, Samsung cũng áp dụng quy trình 20nm lên chip RAM 4Gb DDR3 cho PC. Đây là lần đầu tiên Samsung theo đuổi quá trình sản xuất DRAM cho di động. Trong tương lai Samsung có kế hoạch giới thiệu một loạt chip DRAM cho di động trên quy trình 20nm.
Nguồn: vnreview.vn
